Strafbarkeit nach Halbleiterschutzgesetz
Eine Strafbarkeit nach dem Halbleiterschutzgesetz richtet sich nach § 10 Abs. 1 Halbleiterschutzgesetz (HalblSchG).
§ 10 Strafvorschriften
(1) Mit Freiheitsstrafe bis zu drei Jahren oder mit Geldstrafe wird bestraft, wer
1.
entgegen § 6 Abs. 1 Satz 2 Nr. 1 die Topographie nachbildet oder
2.
entgegen § 6 Abs. 1 Satz 2 Nr. 2 die Topographie oder das die Topographie enthaltende Halbleitererzeugnis anbietet, in Verkehr bringt, verbreitet oder zu den genannten Zwecken einführt.
(2) Handelt der Täter gewerbsmäßig, so ist die Strafe Freiheitsstrafe bis zu fünf Jahren oder Geldstrafe.
(3) Der Versuch ist strafbar.
(4) In den Fällen des Absatzes 1 wird die Tat nur auf Antrag verfolgt, es sei denn, daß die Strafverfolgungsbehörde wegen des besonderen öffentlichen Interesses an der Strafverfolgung ein Einschreiten von Amts wegen für geboten hält.
(5) Die Vorschrift des Gebrauchsmustergesetzes über die Einziehung (§ 25 Abs. 5) ist entsprechend anzuwenden.
(6) Wird auf Strafe erkannt, so ist, wenn der Verletzte es beantragt und ein berechtigtes Interesse daran dartut, anzuordnen, daß die Verurteilung auf Verlangen öffentlich bekanntgemacht wird. Die Art der Bekanntmachung ist im Urteil zu bestimmen.
Eine Strafbarkeit nach dem Halbleiterschutzgesetz gehört zu dem Wirtschaftsrecht.